Nowe odkrycie w inżynierii półprzewodnikowej

Nowe odkrycie w inżynierii półprzewodnikowej

Naukowcy z amerykańskiego Departamentu Energii (DoE) wykorzystali specjalnie skonstruowaną sondę po to, by zbadać właściwości nowego materiału półprzewodnikowego. Zespół z DOE w wykorzystał tzw. sondę Campanile'a, by przeanalizować właściwości dwusiarczku molibdenu, którego właściwości optoelektroniczne są bardzo obiecujące pod kątem zastosowania w elektronice nowej generacji.

Związek ten należy do grupy chalkogenków (TMDC). Dwuwymiarowe cząsteczki materiałów z tej rodziny posiadają doskonałą wydajność energetyczną. Dotychczas jednak nie udało się uzyskać odpowiedzi na pytanie, jaki mechanizm w skali nano stoi za tak korzystnymi właściwościami.

James Schuck, jeden z głównych autorów prac wyjaśnił, że zastosowanie sondy Campanile do analizy materiału w tejże skali rzuciło światło na szereg aspektów związanych z zagadkową naturą materiału. Pozwoli to przyspieszyć badania nad jego komercyjnym zastosowaniem.

Najważniejszym z nich było odkrycie szerokiego na 300 nanometrów nieuporządkowanego energetycznie obszaru. Dotychczas nie spotkano się z tego typu strukturą, a ona sama może okazać się niezwykle ważna dla wszystkich urządzeń wykorzystujących w swym działaniu przepływ prądu. Odkrycie może okazać się również kluczowe dla aplikacji fotokatalitycznych oraz nieliniowych konwersji optycznych.

(rr)