Układy 3D NAND z Chin

Układy 3D NAND z Chin

Firma Yangtze River Storage Technology poinformowała, że jest zaangażowana w rozwój technologii pamięci 3D NAND Flash. Nie ujawniła jednak dotychczas harmonogramu ich masowej produkcji. Według doniesień prasowych Chińczycy mają ją jednak rozpocząć już na początku przyszłego roku.

Simon Yang, CEO zarówno w Yangtze River Storage Technology, jak i Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing powiedział, że obie spółki zaangażowane są w rozwój 32-warstwowych trójwymiarowych pamięci Flash typu NAND. Realizując nowy proces produkcyjny, Chińczycy chcą uzupełnić lukę technologiczną, która powstanie w ciągu najbliższych dwóch lat. Mają również nadzieję na to, że do 2020 roku Yangtze River Storage Technology znajdzie się dzięki temu w gronie wiodących producentów pamięci na świecie.

Niedawno położono kamień węgielny pod budowę dedykowanego zakładu produkcyjnego w Wuhan, w prowincji Hebei. Na jego terenie przewidziana jest instalacja trzech linii produkcyjnych. Zakład ma osiągnąć pełną wydajność w 2020 roku, produkując miesięcznie 300 tysięcy 12-calowych wafli.

(rr)