Urządzenia elektroniczne 2-D za pomocą ultracienkich dielektryków

Fot. Pixabay CC0

Pomimo niewątpliwych zalet dwuwymiarowyvh dielektryków, wdrożenie tych materiałów w tranzystorach okazuje się na razie trudne. Wynika to z braku wiązań, co powoduje, że trudno jest je osadzać na materiałach, w wyniku czego powstają nieciągłe filmy.

Zespół badaczy z Nanjing University w Chinach przedstawił ostatnio metodę, która pozwala to skutecznie robić. Opisują oni udane osadzenie metodą ALD dielektrycznych bramek na półprzewodnikach 2-D wykorzystujących jako warstwę zaszczepiającą kryształ molekularny.

Dielektryki zaproponowane przez naukowców wykazują zmniejszoną szorstkość, gęstość stanów faz pośrednich i przeciek w porównaniu z tymi wytwarzanymi przy użyciu bardziej konwencjonalnych metod. Co ciekawe, prezentują również ulepszone pole podziału.

Półprzewodniki 2-D mogą znaleźć szerokie zastosowanie, gdyż wykazują bardzo wysoką mobilność przy ekstremalnych grubościach, co czyni je szczególnie obiecującymi alternatywami dla krzemu.

(KB)