Reklama: Chcesz umieścić tutaj reklamę? Zapraszamy do kontaktu »
Powrót do listy wiadomości Dodano: 2018-12-29   |  Ostatnia aktualizacja: 2018-12-29
Niewielkie urządzenie usprawni pamięć, oszczędzając energię
Fot. Pixabay CC0
Fot. Pixabay CC0

W naszym otoczeniu pojawia się coraz więcej „inteligentnych urządzeń". Od zwykłych i nikogo już niezaskakujących smartfonów po całe budynki. Tym samym rośnie jednak zapotrzebowanie na szybkie przechowywanie i pobieranie ogromnych ilości danych, najlepiej przy minimalnym zużyciu energii. Może to zapewnić urządzenie opracowane przez naukowców z Purdue University przy współpracy z NIST.

Podmioty zajmujące się produkcją chipów od dawna domagają się opracowania lepszych technologii pamięci. Jedną z możliwości jest tzw. rezystywna pamięć o dostępie swobodnym, czyli w skrócie RRAM. W tym modelu prąd elektryczny jest zwykle kierowany przez komórkę pamięci utworzoną z ułożonych w stos materiałów. Powoduje to zmianę rezystancji, co zapisuje dane w pamięci jako 0s i 1s. Komputer odczytuje te dane w celu wykonania funkcji, a następnie ponownie zapisuje je w pamięci.

Materiał, który mógłby zostać użyty w RRAM, musiałby mieć wystarczającą oporność, czego obecnie używane materiały nie były w stanie zapewnić. Z tego względu technologia ta nie była do tej pory dostępna do szybkiego zastosowania w chipach komputerowych. Okazało się, że odpowiednim tworzywem może być ditelluryd molibdenu.

Pozwala on systemowi szybciej przełączać się pomiędzy 0 a 1, tym samym zwiększając szybkość przechowywania i wyszukiwania informacji. Wynika to z faktu, że po przyłożeniu pola elektrycznego atomy przemieszczają się na niewielką odległość, co powoduje stan wysokiej rezystancji (0) lub stan niskiej rezystancji (1), co następuje znacznie szybciej niż przełączanie w konwencjonalnych urządzeniach RRAM.

Joerg Appenzeller, jeden z naukowców, powiedział: "Ponieważ te stany rezystancyjne wymagają mniej mocy, bateria może trwać dłużej".

(KB)

Kategoria wiadomości:

Nowinki techniczne

Źródło:
purdue.edu; innovations-report.com

Komentarze (0)

Możesz być pierwszą osobą, która skomentuje tę wiadomość. Wystarczy, że skorzystasz z formularza poniżej.

Wystąpiły błędy. Prosimy poprawić formularz i spróbować ponownie.
Twój komentarz :